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- 產品描述
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適用工藝
適用于采用銀膜、銀膏等連接材料工藝
功能介紹
1、適用工藝：冷貼合、熱貼預燒結、熱貼燒結等工藝
2、適合產品：IGBT、SiC，射頻功率器件，大功率激光器等
3、貼頭特點：360°旋轉+壓力 30Kg+300℃加熱高溫，壓力和溫度值精度±1%
4、平臺特點：具備350℃加熱高溫+真空吸附+氮氣保護
5、X/Y精 度 ：±10um@3σ
6、可 In-Line 生 產 和 離 線 生 產
7、具 備 自 動 8 寸 Wafer 、 4 寸 Tray 等 自 動 上 下 料 系 統
8、作 業 區 域 ：400*300mm（ 長 * 寬 ）
技術參數
貼片種類 銀膜、銀膏、芯片、電阻、銅片、錫片、金錫片等等 適合工藝 兼容銀膜和銀膏工藝 Wafer Table（選配） 8″（有效工作區域：φ200mm） 軌道寬度 400*300mm（標準） 軌道工作高度 950±20mm Tray 尺寸（選配） 4″ 飛達（選配） 2套（最多） 銀膜供料治具尺寸（選配） 260*80mm（片料） die size 0.2*0.2~25*25mm 以內 die thickness 0.05~5mm 多針頂針（音圈電機式） 自主設定（精度±0.005mm） 頂針系統溫度 ＜100℃ X/Y placement accuracy ±10um@3σ Theta placement accuracy ±0.1°@3σ 效率（UPH） UPH1200~1500 貼頭壓力及精度 ≤30Kg±2% 貼頭溫度及精度 300℃±2% 支持自動更換加熱貼頭 有 貼合平臺溫度 300℃±2% 點膠系統（選配） 針筒容量 5cc 或 10cc 設備優勢
●不需要更換軌道上加熱基板底座，直接兼容行業產品
●設備占地面積行業最小
●壓力精度可達 1%，并且壓力設定時間不受限定，行業內一般時間為最長 3~5 秒
●芯片刺晶頭帶溫度加熱和力控，有效保證芯片刺晶良率
●可自動更換熱壓貼合頭。
